阅读量：

54

作者：

郭谨昌，刘芳林

展开

摘要：

采用密度泛函理论PBE0方法,在aug-cc-pVTZ水平上理论预测了含平面五配位硅和锗原子的XBe5H6(X=Si,Ge)团簇.势能面系统搜索及高精度量化计算表明,它们均为全局极小结构.XBe5H6(X=Si,Ge)团簇整体呈完美的扇形结构:Si/Ge原子被5个金属Be原子配位;4个H原子以桥基方式与Be原子相键连,剩余的2个H原子以端基方式与两端的Be原子成键.化学键分析表明,XBe5H6(X=Si,Ge)团簇中XBe5单元具有完全离域的1个π及3个σ键,外围铍氢间形成4个Be—H—Be三中心二电子(3c-2e)键及2个定域的Be—H键.XBe5单元上离域的2π及6σ电子赋予体系π和σ双重芳香性,并使Si/Ge原子满足八隅律(或八电子规则).能量分解-化学价自然轨道分析揭示,Si/Ge和Be5H6之间主要为电子共享键.

展开

关键词：

平面五配位硅全局极小结构化学键π/σ双重芳香性八电子规则

年份：

2022